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Delmic 的阴极发光解决方案由功能强大且用户友好的阴极发光检测器组成，可以帮助您了解有关块状和纳米结构材料的更多信息。
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阴极发光探测发光特性
使用阴极发光（Cathodoluminescence）在小长度尺度上成像半导体材料的局部缺陷和发光特性。这是一种强大的非接触式方法，既可以研究大块LED材料，也可以研究用于照明、显示技术、光子学、检查/光谱学和病原体的小型LED器件。
我们能帮助您什么
- 深入了解（光学）特性
- 研究局部几何形状和内部材料结构
- 获取定量可比数据
- 表征从深紫外线到红外线的LED
氮化镓（GaN）的深入表征
氮化镓（GaN）是一种通用的宽带隙半导体材料，通常用于包括照明和显示器的LED、激光二极管和高性能电子产品在内的各种应用中。阴极发光成像和光谱学已广泛用于GaN材料和器件中。高能电子束能
够以亚波长的空间分辨率有效激发GaN的宽带隙（3.4 eV），并用于在小长度范围内成像位错等局部缺陷和探测发光特性。
阴极发光能帮您完成什么？
光谱可用于例如生长优化，失效/缺陷分析以及检查光学响应中的（局部）均匀性。这适用于各种会发出从深UV到红外光谱范围的光的材料，比如（Al，In）GaN，ZnO，钙钛矿InP / GaAs等各种不同的半导体材料。
图像滑块: 显示高光谱假色RGB CL和相应的SE图像。该图显示了InGaN微棒LED结构的顶部。示例由J.Dühn和C. Tessarek（不来梅大学，MPI Erlangen）提供。另请参见J.Dühn等。物理D：应用物理51，355102（2018）。
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