用阴极发光定量表征磷光体的光输出

磷光体被用于许多不同的科学技术领域，包括照明、显示器、闪烁体材料以及生命科学中的明亮纳米级标签。许多磷光体都是基于稀土（REE）掺杂的晶体，其中镧系元素离子在周围的电介质基质中充当有效的发射体。阴极发光（CL）成像提供了一种强大的技术，可以定量地表征单晶、多晶、（微）粉和纳米颗粒磷光体材料的光输出。

我们能帮您实现什么

使用高能电子束激发大范围的跃迁
表征从深紫外线到红外线的荧光粉
根据波长和强度研究定量光谱输出
使用高光谱分辨率测量解决镧系元素离子中的4f内急剧跃迁
在生命科学中采用高空间分辨率进行阴极发光关联电子显微技术

使用阴极发光表征纳米级的磷光体

高能电子束可以直接激发磷光体主体材料的宽带隙，然后将激发转移到镧系元素离子上，从而将其转换为辐射。该过程非常有效，并且可以定位在远低于衍射极限的体积内，从而可以对磷光体特性进行纳米级研究。例如，由于YAG：Ce3 +磷光体的高效率、宽光谱、相对较短的激发寿命和高稳定性，因此可以被广泛用于LED 或者显示系统和闪烁体中。利用阴极发光，可以有效地表征发光的光谱含量、绝对强度和均匀性。

此外，小的REE掺杂纳米粒子可以直接用CL成像，这在生命科学中具有直接相关的阴极发光电子显微镜（CCLEM）的巨大潜力，例如，粒子可以潜在地用于标记细胞中的特定区域。